|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পণ্যের নাম: | উচ্চ ভোল্টেজ মোসফেট ট্রানজিস্টার | মডেল: | AP7H03DF |
|---|---|---|---|
| প্যাক: | DFN3 * 3-8L | অবস্থানসূচক: | AP7H03DF XXXYYYY |
| ভিডিএসড্রেন-উত্স ভোল্টেজ: | 30V | VGSGate-Sou rce ভোল্টেজ: | ± 20A |
| লক্ষণীয় করা: | এন চ্যানেল মোসফেট ট্রানজিস্টর,উচ্চ ভোল্টেজ ট্রানজিস্টর |
||
ই এম হাই ভোল্টেজ মোসফেট ট্রানজিস্টার / AP10H03DF উহ্ফ পাওয়ার ট্রানজিস্টর
উচ্চ ভোল্টেজ মোসফেট ট্রানজিস্টার বর্ণনা:
AP10H03DF সর্বোচ্চ পারফরম্যান্স পরিখা
চরম উচ্চ কোষের ঘনত্ব সহ এন-সিএইচ মোসফেটস,
যা দুর্দান্ত আরডিএসন এবং গেট চার্জ সরবরাহ করে
ক্ষুদ্র শক্তি স্যুইচিং এবং
লোড সুইচ অ্যাপ্লিকেশন। দ্য RoHS এবং দেখা
সম্পূর্ণ ফাংশন নির্ভরযোগ্যতার সাথে পণ্য প্রয়োজনীয়তা অনুমোদিত।
উচ্চ ভোল্টেজ মোসফেট ট্রানজিস্টর বৈশিষ্ট্য
ভিডিএস = 30 ভি আইডি = 10 এ
আরডিএস (চালু) <12 মিΩ @ ভিজিএস = 4.5 ভি
আরডিএস (চালু) <16.5mΩ @ ভিজিএস = 2.5 ভি
প্যাকেজ চিহ্নিতকরণ এবং অর্ডার তথ্য
| পণ্য আইডি | প্যাক | অবস্থানসূচক | Qty এ (পিসি) |
| AP10H03DF | DFN3 * 3-8L | AP10H03DF XXXYYYY | 5000 |
নিখুঁত সর্বাধিক রেটিং (টিএ = 25 otherwise অন্যথায় উল্লিখিত না হলে )
| প্রতীক | স্থিতিমাপ | নির্ধারণ | ইউনিট |
| VDS | ড্রেন উত্স ভোল্টেজ | 30 | ভী |
| VGS | গেট-সোর্স ভোল্টেজ | ± 20 | ভী |
| আইডি @ Tc = 25 ℃ | অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট, ভি জিএস @ 10 ভি 1 | 10 | একজন |
| আইডি @ টিসি = 100 ℃ | অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট, ভি জিএস @ 10 ভি 1 | 8.2 | একজন |
| আইডি তোমাকে ধন্যবাদ = 25 ℃ | অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট, ভিজিএস @ 10 ভি 1 | 9.5 | একজন |
| আইডি তোমাকে ধন্যবাদ = 70 ℃ | অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট, ভি জিএস @ 10 ভি 1 | 7.6 | একজন |
| সম্পর্কিত IDM | স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট 2 | 75 | একজন |
| ইএএস | একক পালস তুষারপাত শক্তি 3 | 24.2 | এমজে |
| আইএএস | হিমস্রোত কারেন্ট | 22 | একজন |
| পিডি @ টিসি = 25 ℃ | মোট শক্তি বিভাজন 4 | 26 | ওয়াট |
| পিডি @ টিএ = 25 ℃ | মোট শক্তি বিভাজন 4 | 1.67 | ওয়াট |
| TSTG | স্টোরেজ তাপমাত্রার ব্যাপ্তি | -55 থেকে 150 | ℃ |
| টি জে | অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা ব্যাপ্তি | -55 থেকে 150 | ℃ |
| RθJA | তাপীয় প্রতিরোধ জংশন-পরিবেষ্টিত 1 | 75 | ℃ / ওয়াট |
| RθJC | তাপীয় প্রতিরোধ জংশন-কেস 1 | 4.8 | ℃ / ওয়াট |
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (টি জে = 25 ℃ , অন্যথায় উল্লিখিত না হলে )
| প্রতীক | স্থিতিমাপ | পরিবেশ | ন্যূনতম। | Typ। | সর্বোচ্চ। | একক |
| BVDSS | ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | ভিজিএস = 0 ভি, আইডি = 250uA | 30 | --- | --- | ভী |
| △ বিভিডিএসএস / টিজে | বিভিডিএসএস তাপমাত্রা সহগ | 25 ℃, ID = 1mA এর উল্লেখ | --- | 0,023 | --- | ভি / ℃ |
| যদি RDS (চালু) | স্ট্যাটিক ড্রেন-উত্স অন-প্রতিরোধ | ভিজিএস = 10 ভি, আইডি = 15 এ | --- | --- | 12 | mΩ |
| ভিজিএস = 4.5 ভি, আইডি = 10 এ | --- | --- | 16.5 | |||
| VGS (ম) | গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ | ভিজিএস = ভিডিএস, আইডি = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | ভী |
| △ VGS (ম) | ভিজিএস (তম) তাপমাত্রা সহগ | --- | -5,08 | --- | mv / ℃ | |
IDSS | ড্রেন-সোর্স ফুটো বর্তমান | ভিডিএস = 24 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, টিজে = 25 ℃ | --- | --- | 1 | UA |
| ভিডিএস = 24 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, টিজে = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | গেট-সোর্স ফুটো বর্তমান | ভিজিএস = ± 20 ভি, ভি ডিএস = 0 ভি | --- | --- | ± 100 | nA |
| GFS | ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স | ভিডিএস = 5 ভি, আইডি = 15 এ | --- | 24.4 | --- | এস |
| আর জি | গেট প্রতিরোধের | ভিডিএস = 0 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, এফ = 1 মেগাহার্টজ | --- | 1.8 | --- | Ω |
| Qg | মোট গেট চার্জ (4.5 ভ) | --- | 9,82 | --- | ||
| Qgs | গেট-সোর্স চার্জ | --- | 2.24 | --- | ||
| Qgd | গেট-ড্রেন চার্জ | --- | 5,54 | --- | ||
| TD (চালু) | টার্ন অন বিলম্ব সময় | --- | 6.4 | --- | ||
| tr | সময় বৃদ্ধি | --- | 39 | --- | ||
| TD (বন্ধ) | টার্ন অফ বিলম্ব সময় | --- | 21 | --- | ||
| TF | পতনের সময় | --- | 4.7 | --- | ||
| CISS | ইনপুট ক্যাপাসিটেন্স | --- | 896 | --- | ||
| Coss | আউটপুট ক্যাপাসিটেন্স | --- | 126 | --- | ||
| Crss | বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিটেন্স | --- | 108 | --- | ||
| আইএস | অবিচ্ছিন্ন উত্স বর্তমান 1,5 | ভিজি = ভিডি = 0 ভি, ফোর্স কারেন্ট | --- | --- | 37 | একজন |
| আইএসএস | স্পন্দিত উত্স কারেন্ট 2,5 | --- | --- | 75 | একজন | |
| VSD | ডায়োড ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ 2 | ভিজিএস = 0 ভি, আইএস = 1 এ, টিজে = 25 ℃ | --- | --- | 1 | ভী |
| প্রতীক | স্থিতিমাপ | পরিবেশ | ন্যূনতম। | Typ। | সর্বোচ্চ। | একক |
| BVDSS | ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | ভিজিএস = 0 ভি, আইডি = 250uA | 30 | --- | --- | ভী |
| △ বিভিডিএসএস / টিজে | বিভিডিএসএস তাপমাত্রা সহগ | 25 ℃, ID = 1mA এর উল্লেখ | --- | 0,023 | --- | ভি / ℃ |
| যদি RDS (চালু) | স্ট্যাটিক ড্রেন-উত্স অন-প্রতিরোধ | ভিজিএস = 10 ভি, আইডি = 15 এ | --- | --- | 12 | mΩ |
| ভিজিএস = 4.5 ভি, আইডি = 10 এ | --- | --- | 16.5 | |||
| VGS (ম) | গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ | ভিজিএস = ভিডিএস, আইডি = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | ভী |
| △ VGS (ম) | ভিজিএস (তম) তাপমাত্রা সহগ | --- | -5,08 | --- | mv / ℃ | |
IDSS | ড্রেন-সোর্স ফুটো বর্তমান | ভিডিএস = 24 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, টিজে = 25 ℃ | --- | --- | 1 | UA |
| ভিডিএস = 24 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, টিজে = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | গেট-সোর্স ফুটো বর্তমান | ভিজিএস = ± 20 ভি, ভি ডিএস = 0 ভি | --- | --- | ± 100 | nA |
| GFS | ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স | ভিডিএস = 5 ভি, আইডি = 15 এ | --- | 24.4 | --- | এস |
| আর জি | গেট প্রতিরোধের | ভিডিএস = 0 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, এফ = 1 মেগাহার্টজ | --- | 1.8 | --- | Ω |
| Qg | মোট গেট চার্জ (4.5 ভ) | ভিডিএস = 15 ভি, ভিজিএস = 4.5 ভি, আইডি = 12 এ | --- | 9,82 | --- | |
| Qgs | গেট-সোর্স চার্জ | --- | 2.24 | --- | ||
| Qgd | গেট-ড্রেন চার্জ | --- | 5,54 | --- | ||
| TD (চালু) | টার্ন অন বিলম্ব সময় | ভিডিডি = 15 ভি, ভিজিএস = 10 ভি, আরজি = 1.5 আইডি = 20A | --- | 6.4 | --- | |
| tr | সময় বৃদ্ধি | --- | 39 | --- | ||
| TD (বন্ধ) | টার্ন অফ বিলম্ব সময় | --- | 21 | --- | ||
| TF | পতনের সময় | --- | 4.7 | --- | ||
| CISS | ইনপুট ক্যাপাসিটেন্স | ভিডিএস = 15 ভি, ভিজিএস = 0 ভি, এফ = 1 মেগাহার্টজ | --- | 896 | --- | |
| Coss | আউটপুট ক্যাপাসিটেন্স | --- | 126 | --- | ||
| Crss | বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিটেন্স | --- | 108 | --- | ||
| আইএস | অবিচ্ছিন্ন উত্স বর্তমান 1,5 | ভিজি = ভিডি = 0 ভি, ফোর্স কারেন্ট | --- | --- | 37 | একজন |
| আইএসএস | স্পন্দিত উত্স কারেন্ট 2,5 | --- | --- | 75 | একজন | |
| VSD | ডায়োড ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ 2 | ভিজিএস = 0 ভি, আইএস = 1 এ, টিজে = 25 ℃ | --- | --- | 1 | ভী |
বিঃদ্রঃ :
1। পৃষ্ঠ দ্বারা পরীক্ষিত ডেটা 2 ই জেড তামা দিয়ে 1 ইঞ্চি এফআর -4 বোর্ডে লাগানো হয়েছে।
2. পালস, পালস প্রস্থ ≦ 300us, শুল্ক চক্র ≦ 2% দ্বারা পরীক্ষিত ডেটা
3 .এএএস ডেটা সর্বাধিক দেখায়। রেটিং পরীক্ষার শর্তটি ভিডিডি = 25 ভি, ভিজিএস = 10 ভি, এল = 0.1 এমএইচ, আইএএস = 22 এ
4. শক্তি অপচয় হ্রাস 175 ℃ জংশন তাপমাত্রা দ্বারা সীমাবদ্ধ
৫. তথ্যটি তাত্ত্বিকভাবে আইডি এবং আইডিএম হিসাবে একই, বাস্তব অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, মোট শক্তি অপচয় দ্বারা সীমাবদ্ধ করা উচিত।
মনোযোগ
1, এখানে বর্ণিত বা অন্তর্ভুক্ত যে কোনও এবং সমস্ত এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্যগুলির মধ্যে এমন নির্দিষ্টকরণের নেই যা এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলি পরিচালনা করতে পারে যাগুলির জন্য অত্যন্ত উচ্চ স্তরের নির্ভরযোগ্যতা যেমন লাইফ সাপোর্ট সিস্টেম, বিমানের নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা, বা অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির ব্যর্থতা যার ফলে ব্যর্থতার কারণে যুক্তিসঙ্গতভাবে আশা করা যেতে পারে গুরুতর শারীরিক এবং / বা উপাদান ক্ষতি। এই জাতীয় অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এখানে বর্ণিত বা অন্তর্ভুক্ত থাকা কোনও এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্য ব্যবহার করার আগে আপনার এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স প্রতিনিধির সাথে পরামর্শ করুন।
2, এপিএম মাইক্রো ইলেকট্রনিক্সগুলি কোনও ব্যতীত এবং এমনকি সমস্ত এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্যগুলির পণ্যের বিবরণীতে তালিকাভুক্ত রেটযুক্ত মানগুলি (যেমন সর্বাধিক রেটিং, অপারেটিং শর্তসীমা বা অন্যান্য পরামিতি) অতিক্রম করে এমন মানগুলিতে পণ্যগুলি ব্যবহার করার ফলে সরঞ্জামগুলির ব্যর্থতার জন্য কোনও দায়বদ্ধতা গ্রহণ করে না that বর্ণিত বা এখানে অন্তর্ভুক্ত।
3, বর্ণিত বা এখানে থাকা যে কোনও এবং সমস্ত এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্যগুলির স্পেসিফিকেশনগুলি স্বাধীন অবস্থায় বর্ণিত পণ্যগুলির কার্যকারিতা, বৈশিষ্ট্য এবং কার্যকারিতা সম্পর্কে অন্তর্ভুক্ত করে এবং এতে বর্ণিত পণ্যগুলির কার্যকারিতা, বৈশিষ্ট্য এবং কার্যকারিতার গ্যারান্টি নেই in গ্রাহকের পণ্য বা সরঞ্জাম। স্বতন্ত্র ডিভাইসে মূল্যায়ন করা যায় না এমন লক্ষণগুলি এবং রাজ্যগুলি যাচাই করতে গ্রাহকের সর্বদা গ্রাহকের পণ্য বা সরঞ্জামগুলিতে লাগানো ডিভাইসগুলি মূল্যায়ন এবং পরীক্ষা করা উচিত।
4, এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স সেমিকন্ডাক্টর CO।, LTD। উচ্চ মানের উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা পণ্য সরবরাহ করার চেষ্টা করে। তবে যে কোনও এবং সমস্ত সেমিকন্ডাক্টর পণ্য কিছুটা সম্ভাবনার সাথে ব্যর্থ হয়। সম্ভবত এই সম্ভাব্য ব্যর্থতা দুর্ঘটনা বা ঘটনাগুলিকে জন্ম দিতে পারে যা ধূমপান বা আগুনের জন্ম দিতে পারে বা অন্য সম্পত্তির ক্ষতি করতে পারে এমন মানবজীবনকে বিপন্ন করতে পারে। হ্যান্ডসাইনিং সরঞ্জাম, সুরক্ষা ব্যবস্থা গ্রহণ করুন যাতে এই ধরণের দুর্ঘটনা বা ঘটনা না ঘটে। এই জাতীয় পদক্ষেপগুলি সুরক্ষামূলক নকশা, রিলান্ট্যান্ট ডিজাইন এবং কাঠামোগত ডিজাইনের জন্য সুরক্ষামূলক সার্কিট এবং ত্রুটি প্রতিরোধের সার্কিটগুলির মধ্যে অন্তর্ভুক্ত তবে সীমাবদ্ধ নয়।
5, যদি বর্ণিত বা এতে অন্তর্ভুক্ত থাকা কোনও এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্য (প্রযুক্তিগত ডেটা, পরিষেবাগুলি সহ) প্রযোজ্য স্থানীয় রফতানি নিয়ন্ত্রণ আইন এবং বিধিমালার অধীনে নিয়ন্ত্রণ করা হয় তবে কর্তৃপক্ষের কাছ থেকে রফতানির লাইসেন্স গ্রহণ না করে এই জাতীয় পণ্য রফতানি করা উচিত নয় উপরোক্ত আইন অনুসারে সংশ্লিষ্ট।
,, এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স সেমিকন্ডাক্টর সিও এর পূর্ব লিখিত অনুমতি ব্যতীত এই প্রকাশনার কোনও অংশই ফটোকপি ও রেকর্ডিং সহ কোনও ফর্ম বা কোনও উপায়ে, বৈদ্যুতিন বা যান্ত্রিক, বা কোনও তথ্য স্টোরেজ বা পুনরুদ্ধার সিস্টেম, বা অন্যথায় পুনরুত্পাদন বা সংক্রমণ হতে পারে otherwise ।, LTD।
7, তথ্য (সার্কিট ডায়াগ্রাম এবং সার্কিট প্যারামিটার সহ) কেবল উদাহরণস্বরূপ; এটি ভলিউম উত্পাদনের জন্য গ্যারান্টিযুক্ত নয়। এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স বিশ্বাস করে যে তথ্য এখানে সঠিক এবং নির্ভরযোগ্য, তবে এর ব্যবহার বা বৌদ্ধিক সম্পত্তির অধিকার বা তৃতীয় পক্ষের অন্যান্য অধিকারের কোনও লঙ্ঘন সম্পর্কিত কোনও গ্যারান্টি দেওয়া বা আবশ্যক নয়।
8, বর্ণিত বা এতে অন্তর্ভুক্ত থাকা যে কোনও এবং সমস্ত তথ্য পণ্য / প্রযুক্তি উন্নতির ইত্যাদির কারণে কোনও বিজ্ঞপ্তি ছাড়াই পরিবর্তিত হতে পারে। সরঞ্জাম ডিজাইন করার সময়, আপনি ব্যবহার করতে ইচ্ছুক এপিএম মাইক্রো ইলেক্ট্রনিক্স পণ্যটির জন্য "বিতরণ নির্দিষ্টকরণ" দেখুন ification
ব্যক্তি যোগাযোগ: David
