|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পণ্যের নাম: | মোসফেট পাওয়ার ট্রানজিস্টর | প্রয়োগ: | শক্তি ব্যবস্থাপনা |
|---|---|---|---|
| বৈশিষ্ট্য: | দুর্দান্ত আরডিএস (চালু) | পাওয়ার মোসফেট ট্রানজিস্টর: | বর্ধন মোড পাওয়ার মোসফেট |
| মডেল নম্বার: | 13P10D | ||
| লক্ষণীয় করা: | এন চ্যানেল মোসফেট ট্রানজিস্টর,উচ্চ ভোল্টেজ ট্রানজিস্টর |
||
13P10D -100V মোসফেট পাওয়ার ট্রান্সজিস্টার পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট ESD এর জন্য প্রতিবাদ করেছে
বর্ণনা
13 পি 10 ডি কম গ্যাট সহ দুর্দান্ত আরডিএস (অন) সরবরাহ করতে উন্নত ট্রেঞ্চ প্রযুক্তি এবং ডিজাইন ব্যবহার করে
ই চার্জ এটি বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন ব্যবহার করা যেতে পারে। এটি প্রতিবাদ ESD।
বৈশিষ্ট্য
ভিডিএস = -100 ভি, আইডি = -13 এ
আরডিএস (চালু) <170 মি @ ভিজিএস = -10 ভি (প্রকার: 145 মি)
সুপার উচ্চ ঘন কোষ নকশা উন্নত পরিখা প্রক্রিয়া প্রযুক্তি নির্ভরযোগ্য এবং রাগড
অতি-কম প্রতিরোধের জন্য উচ্চ ঘনত্বের সেলডিজাইন
আবেদন
পাওয়ার স্যুইচ ডিসি / ডিসি রূপান্তরকারী
প্যাকেজ চিহ্নিতকরণ এবং অর্ডার তথ্য
| পণ্যের আইডি | প্যাক | অবস্থানসূচক | Qty এ (পিসি) |
| 13P10D | টু-252 | 13P10D YYWW | 2500 |
তাপীয় বৈশিষ্ট্য
| তাপীয় প্রতিরোধ, জংশন থেকে কেস (নোট 2) | RθJc | 3.13 | ℃ / ওয়াট |
নিখুঁত ম্যাক্সিমাম রেটিং (টি সি = 25 ডিগ্রি, অন্যথায় নির্দিষ্ট না করা)
| স্থিতিমাপ | প্রতীক | সীমা | একক |
| ড্রেন উত্স ভোল্টেজ | VDS | -100 | ভী |
| গেট-সোর্স ভোল্টেজ | VGS | ± 20 | ভী |
| কারেন্ট-ক্রমাগত ড্রেন | আইডি | -13 | একজন |
| বর্তমান-ধারাবাহিক ড্রেন (টিসি = 100 ℃) | আইডি (100 ℃) | -9,2 | একজন |
| স্পন্দিত ড্রেন কারেন্ট | সম্পর্কিত IDM | -30 | একজন |
| সর্বাধিক শক্তি বিচ্ছিন্নতা | পি ডি | 40 | ওয়াট |
| ডিটারিং ফ্যাক্টর | 0.32 | ওয়াট / ℃ | |
| একক নাড়ি হিমসাগর শক্তি (নোট 5) | ইএএস | 110 | এমজে |
| অপারেটিং জংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা ব্যাপ্তি | Tj, TSTG | -55 থেকে 150 | ℃ |
নোটস: 1. নিখুঁত সর্বোচ্চ রেটিংগুলি সেই মানগুলি যা এর বাইরে ডিভাইস স্থায়ীভাবে ক্ষতিগ্রস্থ হতে পারে।
নিখুঁত সর্বোচ্চ রেটিংগুলি কেবল স্ট্রেস রেটিং এবং ক্রিয়ামূলক ডিভাইস ক্রিয়াকলাপকে বোঝানো হয় না।
৪. পুনরাবৃত্তিমূলক রেটিং: সর্বাধিক সন্ধি তাপমাত্রার দ্বারা স্পন্দিত পালসের প্রস্থ।
5. এল = 84 এমএইচ, আমি এএস = 1.4 এ, ভি ডিডি = 50 ভি, আর জি = 25 T টি জে = 25 ° সে
6. আই এসডি ≤ 2.0A, ডি / ডিটি ≤200 এ / μ এস, ভি ডিডি- বিভি ডিএসএস , টি জে = 25 ° সে
বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্য (টি জে = 25 ডিগ্রি, অন্যথায় নির্দিষ্ট না করা পর্যন্ত)
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
অপারেটিং তাপমাত্রার থেকে মূলত স্বাধীন N দ্রষ্টব্য: 1. পালস টেস্ট: পালস প্রস্থ width 300µs, শুল্ক চক্র ≤ 2%।
ব্যক্তি যোগাযোগ: David
